Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P



Сохраните в закладки:

Цена:3 805,50RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P

История изменения цены

*Текущая стоимость 3 805,50 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Feb-21-2026 4832.53 руб. 4929.77 руб. 4880.5 руб.
Jan-21-2026 3919.74 руб. 3997.26 руб. 3958 руб.
Dec-21-2025 4756.35 руб. 4851.66 руб. 4803.5 руб.
Nov-21-2025 4718.39 руб. 4812.86 руб. 4765 руб.
Oct-21-2025 3767.1 руб. 3842.66 руб. 3804.5 руб.
Sep-21-2025 4642.17 руб. 4735.83 руб. 4688.5 руб.
Aug-21-2025 4604.59 руб. 4696.10 руб. 4650 руб.
Jul-21-2025 4566.98 руб. 4657.32 руб. 4611.5 руб.

Описание товара

Однокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/PОднокристальная силиконовая Вафля/односторонняя полированная Вафля/N/P


Односторонний полировальный кристалл кремния

Технические характеристики:

Один с украшением в виде кристаллов,Односторонняя полировка, 8 дюймов

Материал:

Высокая чистота кремния Si одиночный Кристалл подложки. N/P опционально.

Область применения:

1.PVD/CVD покрытие подложки

2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические испытательные подложки

3. Экспериментальный носитель образцов синхротронного излучения

4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания

5. Процесс литографии полупроводников и так далее

12345678


Смотрите так же другие товары: